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 A novel silicon heterojunction IBC process flow using partial etching of doped a‐Si:H to switch from hole contact to electron contact in situ with efficiencies close to 23% 一种新的硅异质结IBC工艺流程，使用掺杂a-Si：H的部分蚀刻从空穴接触原位切换到电子接触，效率接近23%
相关领域
材料科学
钝化
接触电阻
硅
蚀刻（微加工）
光电子学
兴奋剂
异质结
图层（电子）
干法蚀刻
纳米技术
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| 其它 |
期刊：Progress in Photovoltaics: Research and Applications 作者：Hariharsudan Sivaramakrishnan Radhakrishnan; M.D. Gius Uddin; Menglei Xu; Jinyoun Cho; Moustafa Ghannam; et al 出版日期：2019-01-09 |
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