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 Back-End-of-Line Compatible HfO$_{\text{2}}$/ZrO$_{\text{2}}$ Superlattice Ferroelectric Capacitor With TiO$_{\text{2}}$ Seed Layer for Enhanced Ferroelectricity 后端兼容HfO$_{\text{2}}$/ZrO$_{\text{2}}$超晶格铁电电容器，具有TiO$_{\text{2}}$种子层，用于增强铁电性
相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Huan Liu; Dongya Li; Zhi Gong; Peiyuan Du; Fei Yu; et al 出版日期：2025-01-01 |
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