Morphological and strain engineering of SiGe cladded channels for stacked nanowire transistors

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标题	Morphological and strain engineering of SiGe cladded channels for stacked nanowire transistors 堆叠纳米线晶体管SiGe包层沟道的形貌和应变工程相关领域纳米线材料科学应变工程晶体管拉伤光电子学纳米技术硅电气工程工程类电压医学内科学
网址	http://dx.doi.org/10.1063/5.0243463
DOI	10.1063/5.0243463 doi
求助人	ll 在 2025-04-03 18:08:21 发布自北京，悬赏 10 积分
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