Improvement of durability and switching speed by incorporating nanocrystals in the HfOx based resistive random access memory devices

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标题	Improvement of durability and switching speed by incorporating nanocrystals in the HfOx based resistive random access memory devices 通过在基于HfOx的电阻随机存取存储器件中结合纳米晶体提高耐久性和开关速度相关领域电阻随机存取存储器材料科学切换时间非易失性存储器重置（财务）光电子学纳米晶可靠性（半导体）氧化物耐久性数据保留纳米技术电气工程复合材料功率（物理）电压工程类物理量子力学金融经济学经济冶金
网址	https://doi.org/10.1063/1.5030780
DOI	10.1063/1.5030780 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Quantan Wu; Writam Banerjee; Jingchen Cao; Zhuoyu Ji; Ling Li; et al 出版日期：2018-07-09
求助人	TOU 在 2025-03-12 22:18:29 发布自广东，悬赏 10 积分
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