Study of GaN-based step-doping superjunction CAVET for further improvement of breakdown voltage and specific on-resistance

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标题	Study of GaN-based step-doping superjunction CAVET for further improvement of breakdown voltage and specific on-resistance 进一步提高击穿电压和比导通电阻的GaN基阶梯掺杂超结腔的研究相关领域兴奋剂击穿电压光电子学材料科学电压工程物理电气工程物理工程类
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6641/aaa32a
DOI	10.1088/1361-6641/aaa32a doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Wei Mao; Haiyong Wang; P. Shi; Cui Yang; Yantao Zhang; et al 出版日期：2017-12-20
求助人	英勇冥王星在 2024-10-24 16:27:58 发布自江苏，悬赏 10 积分
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