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 FinFET With Improved Subthreshold Swing and Drain Current Using 3-nm Ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 使用3纳米铁电体Hf0.5Zr 0.5 O2改善亚阈值摆幅和漏极电流的FinFET
相关领域
阈下摆动
铁电性
材料科学
光电子学
摇摆
电流（流体）
电气工程
MOSFET
晶体管
电子工程
电压
电介质
物理
工程类
声学
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Zhaohao Zhang; Gaobo Xu; Qingzhu Zhang; Zhaozhao Hou; Junjie Li; et al 出版日期：2019-01-08 |
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