Electronic properties and device design of ferroelectric Al2O3/GaN heterostructure

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标题	Electronic properties and device design of ferroelectric Al2O3/GaN heterostructure 铁电Al2O3/GaN异质结构的电子性能及器件设计相关领域异质结铁电性电场凝聚态物理偶极子半导体极化密度极化（电化学）光电子学硅烯材料科学物理硅电介质磁场量子力学化学物理化学磁化
网址	https://doi.org/10.1016/j.physleta.2024.129328
DOI	10.1016/j.physleta.2024.129328 doi
其它	期刊：Physics Letters A 作者：Xiangdong Ding; Jianxiao Si; Kun Zhang; Tie Lin; Jin Ma; et al 出版日期：2024-02-01
求助人	zhu 在 2024-11-12 14:51:56 发布自江苏，悬赏 10 积分
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