Anisotropic Electron Mobility and Contact Resistance of β-Ga2O3 Obtained via Radio Frequency Transmission Line Methods on Schottky Devices

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标题	Anisotropic Electron Mobility and Contact Resistance of β-Ga2O3 Obtained via Radio Frequency Transmission Line Methods on Schottky Devices 肖特基器件上用射频传输线方法研究β-Ga2O3的各向异性电子迁移率和接触电阻相关领域材料科学各向异性光电子学晶体管接触电阻电子迁移率半导体肖特基二极管欧姆接触输电线路肖特基势垒凝聚态物理纳米技术电气工程光学物理电压工程类图层（电子）二极管
网址	https://doi.org/10.1021/acsnano.4c01813
DOI	10.1021/acsnano.4c01813 doi
其它	期刊：ACS Nano 作者：Hyun-Jung Kim; Sungjae Hong; Chorom Jang; Hye‐Jin Jin; Hee‐Gweon Woo; et al 出版日期：2024-03-08
求助人	xw 在 2024-03-14 21:06:39 发布自重庆，悬赏 10 积分
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