标题 |
Significant improvement of n-contact performance and wall plug efficiency of AlGaN-based deep UV LEDs by atomic layer etching
原子层刻蚀显著提高AlGaN基深紫外LED的n接触性能和壁塞效率
相关领域
蚀刻(微加工)
图层(电子)
材料科学
发光二极管
光电子学
火花塞
复合材料
机械工程
工程类
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期刊:Optics letters/Optics index 作者:Zhiyuan Liu; Tingang Liu; Haicheng Cao; Zixian Jiang; Na Xiao; et al 出版日期:2024-07-05 |
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