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Effect of InGaN Channel on Radio‐Frequency Performance in High‐Electron‐Mobility Transistors with an InAlGaN Barrier
InGaN沟道对InAlGaN势垒高电子迁移率晶体管射频性能的影响
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期刊:physica status solidi (a) 作者:Ling Chen; Kai Wang; Pei Shen; Yi Fang; Yuqi Liu; et al 出版日期:2022-05-24 |
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