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  An Extended CMOS ISFET Model Incorporating the Physical Design Geometry and the Effects on Performance and Offset Variation 一种扩展的CMOS ISFET模型，包括物理设计几何结构及其对性能和失调变化的影响
相关领域
CMOS芯片
ISFET
阈值电压
阈下传导
阈下斜率
电子工程
MOSFET
半导体器件建模
晶体管
偏移量（计算机科学）
场效应晶体管
灵敏度（控制系统）
电压
噪音（视频）
材料科学
工程类
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计算机科学
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程序设计语言
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期刊：I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者：Yan Liu; Pantelis Georgiou; Themis Prodromakis; Timothy G. Constandinou; C. Toumazou 出版日期：2011-12-01 |
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