SiC Trenched Schottky Diode with Step-Shaped Junction Barrier for Superior Static Performance and Large Design Window

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标题	SiC Trenched Schottky Diode with Step-Shaped Junction Barrier for Superior Static Performance and Large Design Window 具有阶梯形结势垒的SiC沟槽肖特基二极管，具有优越的静态性能和大的设计窗口相关领域材料科学肖特基势垒肖特基二极管光电子学碳化硅二极管金属半导体结电接点制作进程窗口电场兴奋剂复合材料医学替代医学物理平版印刷术病理量子力学
网址	https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.1014.62
DOI	10.4028/www.scientific.net/msf.1014.62 doi
其它	期刊：Materials science forum 作者：Xi Wang; Hong Bin Pu; Hu Ji; Bing Liu 出版日期：2020-11-01
求助人	小兄弟在 2024-08-02 12:28:30 发布自浙江，悬赏 30 积分
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