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 A Normally-Off Tungsten-Gated p-AlGaN/u-GaN Composite-Channel p-MESFET With Negligible Hysteresis and a High I ON/I OFF Ratio 具有可忽略磁滞和高I ON/I OFF比的常关钨栅p-AlGaN/u-GaN复合沟道p-MESFET
相关领域
MESFET
钨
磁滞
材料科学
复合数
频道（广播）
物理
凝聚态物理
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场效应晶体管
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| 其它 |
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Peng Wu; Huake Su; Tao Zhang; Heyuan Chen; Shengrui Xu; et al 出版日期：2024-06-04 |
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