| 标题 |
 Highly selective Si3N4/SiO2 etching using an NF3/N2/O2/H2 remote plasma. I. Plasma source and critical fluxes 使用NF3/N2/O2/H2远程等离子体的高选择性Si3N4/SiO2蚀刻。I.等离子体源和临界通量
相关领域
蚀刻（微加工）
等离子体
薄脆饼
氮化硅
反应离子刻蚀
化学
等离子体刻蚀
硅
各向同性腐蚀
分析化学（期刊）
材料科学
光电子学
纳米技术
环境化学
图层（电子）
物理
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of vacuum science & technology 作者：Vladimir Volynets; Yuri Barsukov; Gonjun Kim; Jae Hyung Jung; Sang Ki Nam; et al 出版日期：2020-01-29 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
monere
劲秉
我是站长才怪
tuanheqi
寒食
Billy
双黄
杳鸢
爱静静
curtisness
子车茗
萧水白
HEIKU
三月聚粮
手机
模糊中正
xjcy
不配.
彭于彦祖
lin
皖公网安备34019202002308
