Total Ionizing Dose Effects in Si-Based Tunnel FETs

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标题	Total Ionizing Dose Effects in Si-Based Tunnel FETs 硅基隧道场效应晶体管的总电离剂量效应相关领域吸收剂量辐照量子隧道兴奋剂导带材料科学光电子学电离辐射稳健性（进化）氧化物电子工程物理化学工程类电子核物理学基因冶金生物化学
网址	https://doi.org/10.1109/tns.2014.2367548
DOI	10.1109/tns.2014.2367548 doi
其它	期刊：IEEE transactions on nuclear science 作者：Lili Ding; Elena Gnani; Simone Gerardin; Marta Bagatin; F. Driussi; et al 出版日期：2014-12-01
求助人	Channy 在 2024-04-28 09:14:37 发布自北京，悬赏 10 积分
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