Electric‐Field‐ and Stacking‐Tuned Antiferromagnetic FeClF Bilayer: The Coexistence of Bipolar Magnetic Semiconductor and Anomalous Valley Hall Effect

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标题	Electric‐Field‐ and Stacking‐Tuned Antiferromagnetic FeClF Bilayer: The Coexistence of Bipolar Magnetic Semiconductor and Anomalous Valley Hall Effect 电场和堆叠调谐反铁磁FeClF双层：双极磁性半导体和反常谷霍尔效应的共存相关领域材料科学凝聚态物理反铁磁性堆积霍尔效应双层半导体磁场磁性半导体核磁共振光电子学物理膜量子力学生物遗传学
网址	https://doi.org/10.1002/adfm.202417857
DOI	10.1002/adfm.202417857 doi
其它	期刊：Advanced Functional Materials 作者：Long Zhang; Yuqi Liu; Menghao Wu; Guoying Gao 出版日期：2024-11-14
求助人	风中静枫在 2024-11-25 17:06:46 发布自山东，悬赏 10 积分
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