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 First Demonstration of High-Sensitivity (NEP<1fW•Hz-1/2) Back-Illuminated Active-Matrix Deep UV Image Sensor by Monolithic Integration of Ga2O3 Photodetectors and Oxide Thin-Film-Transistors 首次用Ga2O3光探测器和氧化物薄膜晶体管单片集成实现高灵敏度(NEP和lt；1fW·HZ-1/2)背照式有源矩阵深紫外光图像传感器
相关领域
灵敏度（控制系统）
响应度
物理
光电探测器
光电子学
电子工程
工程类
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| 其它 |
期刊： 作者：Yuan Qin; Congyan Lu; Zhaoan Yu; Zhihong Yao; Feihong Wu; et al 出版日期：2022-06-12 |
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