标题 |
Improved threshold voltage stability for GaN p-channel field effect transistors by hydrogen plasma treatment
氢等离子体处理提高GaN p沟道场效应晶体管阈值电压稳定性
相关领域
阈值电压
光电子学
材料科学
等离子体
场效应晶体管
频道(广播)
晶体管
电压
氢
电气工程
物理
工程类
量子力学
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期刊:Journal of Physics D Applied Physics 作者:Huixin Yue; Guohao Yu; B. Guo; Li Yu; An‐Ping Li; et al 出版日期:2025-01-09 |
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