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 Strain behavior and Carrier mobility for novel two-dimensional semiconductor of GeP: First principles calculations GeP新型二维半导体的应变行为和载流子迁移率：第一性原理计算
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期刊：Physica E Low-dimensional Systems and Nanostructures 作者：Li-Bin Shi; Shuo Cao; Mei Yang 出版日期：2018-11-15 |
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