Low Voltage and High Speed 1Xnm 1T1C FE-RAM with Ultra-Thin 5nm HZO

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标题	Low Voltage and High Speed 1Xnm 1T1C FE-RAM with Ultra-Thin 5nm HZO 具有超薄5nm HZO的低压高速1Xnm 1T1C FE-RAM 相关领域德拉姆电容器材料科学电压动态随机存取存储器光电子学随机存取存储器切换时间低压磁滞非易失性存储器静态随机存取存储器电气工程电子工程计算机科学计算机硬件物理半导体存储器工程类量子力学
网址	https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720545
DOI	10.1109/iedm19574.2021.9720545 doi
其它	期刊：2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Minchul Sung; Kwangmyoung Rho; Ja-Yong Kim; Jun-Ho Cheon; Ki‐Young Choi; et al 出版日期：2021-12-11
求助人	spark810 在 2024-11-21 06:22:34 发布自美国，悬赏 10 积分
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