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Reconfiguration of Intrinsic Depletion-Mode Characteristicsof MoS2Field-Effect Transistors to High-Performance Enhancement-Mode Operation Using an Argon Plasma-Induced p-Type Doping Technique
利用氩等离子体诱导p型掺杂技术将MoS2场效应晶体管的本征耗尽模式特性重新配置为高性能增强模式
相关领域
兴奋剂 材料科学 NMOS逻辑 光电子学 场效应晶体管 晶体管 CMOS芯片 半导体 电气工程 电压 工程类
网址
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/smtd.202401...
AI链接 nih.govdoi.org
DOI
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AI识别 10.1002/smtd.202401001 doi
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xcx 在 2024-12-28 21:45:37 发布自河北，悬赏 10 积分
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