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 Memristors Constructed by CsPbIBr2 Inorganic Halide Perovskite for Artificial Synapse and Logic Operation 用于人工突触和逻辑操作的CsPbIBr2无机卤化物钙钛矿忆阻器
相关领域
神经形态工程学
记忆电阻器
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期刊：Physica Status Solidi (rrl) 作者：Long Yan; Xiang Chen; Xiaoxin Pan; Jinxia Duan; Xiaoqing Li; et al 出版日期：2023-10-31 |
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