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 Simulation design of a high-breakdown-voltage p-GaN-gate GaN HEMT with a hybrid AlGaN buffer layer for power electronics applications 用于电力电子应用的具有混合AlGaN缓冲层的高击穿电压p-GaN栅极GaN HEMT的仿真设计
相关领域
高电子迁移率晶体管
击穿电压
材料科学
光电子学
晶体管
功勋
氮化镓
电场
阈值电压
电压
电气工程
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纳米技术
物理
量子力学
工程类
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期刊：Journal of Computational Electronics 作者：Yong Liu; Yukui Zhang; Jiangfeng Du 出版日期：2020-07-13 |
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