Engineering Ferroelectric HZO With n+-Si/Ge Substrates Achieving High 2Pr =84 μC/cm2 and Endurance >1E11

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标题	Engineering Ferroelectric HZO With n+-Si/Ge Substrates Achieving High 2Pr =84 μC/cm2 and Endurance >1E11 具有n+-Si/Ge衬底的工程铁电HZO实现高2Pr=84 μ C/cm2和耐久性>1E11 相关领域铁电性材料科学硅锗物理光电子学电介质
网址	http://xplorestaging.ieee.org/ielx7/6287639/10380310/1053175...
DOI	10.1109/access.2024.3402120 doi
其它	期刊：IEEE Access 作者：Zefu Zhao; Yun-Wen Chen; Yu-Rui Chen; C. W. Liu 出版日期：2024-05-17
求助人	唐太君在 2025-03-10 19:08:40 发布自吉林，悬赏 10 积分
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