| 标题 |
 pMOSFET with CVD-grown 2D semiconductor channel enabled by ultra-thin and fab-compatible spacer doping 具有CVD生长的2D半导体沟道的pMOSFET，通过超薄和晶圆厂兼容的间隔物掺杂实现
相关领域
兴奋剂
MOSFET
限制
材料科学
带隙
物理
凝聚态物理
制作
纳米技术
光电子学
量子力学
晶体管
机械工程
医学
替代医学
电压
病理
工程类
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：2022 International Electron Devices Meeting (IEDM) 作者：Terry Y.T. Hung; Mengzhan Li; Wei Sheng Yun; Sui An Chou; Shengkai Su; et al 出版日期：2022-12-03 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
寻道图强
InfoNinja
嗯哼
bryceeluo
黎明之前失眠
吃不饱星球球长
坚强的广山
Cat
8R60d8
Phosphene
带头大哥
薰硝壤
rosalieshi
夏远航
梦之凌云
吉祥
iNk
AireenBeryl531
CWNU_HAN
kento
皖公网安备34019202002308
