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Back‐End‐of‐Line SiC‐Based Memristor for Resistive Memory and Artificial Synapse (Adv. Electron. Mater. 9/2022)
用于阻性记忆和人工突触的后台基于Sic的记忆阻器(Adv. Electron. Mater. 9/2022)
相关领域
记忆电阻器
神经形态工程学
突触
材料科学
电阻随机存取存储器
电阻式触摸屏
纳米技术
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计算机科学
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期刊:Advanced Electronic Materials 作者:Omesh Kapur; Dongkai Guo; Jamie D. Reynolds; Yisong Han; Richard Beanland; et al 出版日期:2022-09-01 |
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