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标题
Back‐End‐of‐Line SiC‐Based Memristor for Resistive Memory and Artificial Synapse (Adv. Electron. Mater. 9/2022)
用于阻性记忆和人工突触的后台基于Sic的记忆阻器(Adv. Electron. Mater. 9/2022)
相关领域
记忆电阻器 神经形态工程学 突触 材料科学 电阻随机存取存储器 电阻式触摸屏 纳米技术 光电子学 计算机科学 电气工程 神经科学 人工神经网络 人工智能 工程类 电压 生物
网址
DOI
10.1002/aelm.202270046 doi
其它 期刊:Advanced Electronic Materials
作者:Omesh Kapur; Dongkai Guo; Jamie D. Reynolds; Yisong Han; Richard Beanland; et al
出版日期:2022-09-01
求助人
玺白白 在 2024-11-18 20:54:55 发布自广东,悬赏 10 积分
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