标题 |
Simulation Studies on Single-Event Effects and the Mechanisms of SiC VDMOS from a Structural Perspective
从结构角度模拟SiC VDMOS的单事件效应及其机理
相关领域
材料科学
沟槽
浅沟隔离
可靠性(半导体)
光电子学
背景(考古学)
电气工程
物理
纳米技术
功率(物理)
工程类
量子力学
生物
古生物学
图层(电子)
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其它 |
期刊:Micromachines 作者:Tao Liu; Yuan Wang; Rongyao Ma; Hao Wu; Jingyu Tao; et al 出版日期:2023-05-18 |
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