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Degradation and Recovery of GaN HEMTs in Overvoltage Hard Switching Near Breakdown Voltage
GaN HEMTs在过压硬开关近击穿电压下的退化与恢复
相关领域
过电压
高电子迁移率晶体管
晶体管
光电子学
材料科学
电气工程
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物理
电压
工程类
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期刊:IEEE Transactions on Power Electronics 作者:Joseph P. Kozak; Qihao Song; Ruizhe Zhang; Yunwei Ma; Jingcun Liu; et al 出版日期:2023-01-01 |
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