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 Device and Circuit Analysis of Double Gate Field Effect Transistor with Mono-Layer WS2-Channel at Sub-2 nm Technology Node 亚2纳米技术节点单层WS2沟道双栅场效应晶体管器件及电路分析
相关领域
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期刊：Nanomaterials 作者：Jihun Park; Chang‐Ho Ra; Jae‐Won Lim; Jongwook Jeon 出版日期：2022-07-04 |
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