The impact on device characteristics with STI formed by spin-on dielectric in high density NAND flash memory

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标题	The impact on device characteristics with STI formed by spin-on dielectric in high density NAND flash memory 高密度NAND闪存中自旋介质形成的STI对器件特性的影响相关领域浅沟隔离材料科学与非门电介质光电子学晶体管闪存沟槽栅氧化层 GSM演进的增强数据速率闪光灯（摄影）生产线后端量子隧道氧化物硅电气工程逻辑门复合材料电压图层（电子）光学冶金计算机科学操作系统电信物理工程类
网址	https://doi.org/10.1109/vtsa.2009.5159268
DOI	10.1109/vtsa.2009.5159268 doi
其它	期刊：作者：Wei-Zhe Wong; Jhen-Jhih Fan; Jianwei Jiang; Chen-Hao Huang; C. Y. Chen; et al 出版日期：2009-04-01
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