ESD-Performance Enhancement of Circular Ultra-High-Voltage 300-V N-Channel Lateral-Diffused MOSFETs by Source/Drain Embedded Schottky Diodes

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标题	ESD-Performance Enhancement of Circular Ultra-High-Voltage 300-V N-Channel Lateral-Diffused MOSFETs by Source/Drain Embedded Schottky Diodes 源极/漏极嵌入肖特基二极管增强圆形超高压300V N沟道横向扩散MOSFET的ESD性能相关领域肖特基二极管光电子学二极管材料科学肖特基势垒 MOSFET 静电放电电气工程高压电压 CMOS芯片晶体管工程类
网址	https://doi.org/10.1109/led.2020.3023021
DOI	10.1109/led.2020.3023021 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Po-Lin Lin; Shen-Li Chen; Sheng-Kai Fan 出版日期：2020-09-09
求助人	he 在 2024-09-21 22:02:50 发布自上海，悬赏 10 积分
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