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Improving Edge Dead Domain and Endurance in Scaled HfZrOx FeRAM
提高HfZrOx FeRAM的边死区和耐久性
相关领域
GSM演进的增强数据速率
铁电性
物理
计算机科学
拓扑(电路)
电气工程
光电子学
人工智能
工程类
电介质
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期刊: 作者:Yu-De Lin; Ping-Cheng Yeh; Ying-Tsan Tang; Jian‐Wei Su; Hsin-Yun Yang; et al 出版日期:2021-12-11 |
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