标题 |
10-nm CMOS : a design study on technology requirement with power/performance assessment
10nm CMOS:基于功率/性能评估的工艺要求设计研究
相关领域
CMOS芯片
量子隧道
光电子学
材料科学
泄漏(经济)
MOSFET
排水诱导屏障降低
阈值电压
消散
栅氧化层
缩放比例
电气工程
短通道效应
信道长度调制
纳米技术
电压
晶体管
工程类
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期刊: 作者:Minjian Liu 出版日期:2007-01-01 |
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