| 标题 |
Progress of Investigation on the Schottky Barrier and Ohmic Contacts at Metal/III Nitride Interface
金属/氮化物界面肖特基势垒和欧姆接触的研究进展
相关领域
欧姆接触
肖特基势垒
材料科学
光电子学
半导体
带隙
工程物理
金属半导体结
肖特基二极管
氮化物
费米能级
宽禁带半导体
凝聚态物理
纳米技术
图层（电子）
物理
电子
二极管
量子力学
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期刊：Research & Progress of Solid State Electronics 作者：Xue Fangshi 出版日期：2004-01-01 |
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