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 Inhomogeneous Barrier Height Characteristics of n-Type AlInP for Red AlGaInP-Based Light-Emitting Diodes 用于红色AlGaInP基发光二极管的n型AlInP非均匀势垒高度特性
相关领域
材料科学
欧姆接触
钝化
肖特基势垒
二极管
肖特基二极管
光电子学
费米能级
工作职能
凝聚态物理
发光二极管
金属
纳米技术
物理
图层（电子）
冶金
电子
量子力学
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期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology 作者：Jung-Suk Cha; Da-Hoon Lee; Kee-Baek Sim; Tae-Ju Lee; Kwun-Bum Chung; et al 出版日期：2022-03-14 |
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