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 Memristors Based on (Zr, Hf, Nb, Ta, Mo, W) High‐Entropy Oxides 基于（Zr，Hf，Nb，Ta，Mo，W）高熵氧化物的忆阻器
相关领域
记忆电阻器
材料科学
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期刊：Advanced electronic materials 作者：Minhyung Ahn; Yongmo Park; Seung Hwan Lee; Sieun Chae; Jihang Lee; et al 出版日期：2021-04-15 |
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