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 Suppression of Channel Shortening and Reduction of S/D Parasitic Resistance in InGaZnO channel BEOL Transistor by Insertion of thermally stable InAlZnO Contact Layer 通过插入热稳定InAlZnO接触层抑制InGaZnO沟道BEOL晶体管沟道缩短和降低S/D寄生电阻
相关领域
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期刊：Extended Abstracts of the 2020 International Conference on Solid State Devices and Materials 作者：Yuta Sato; Hirokazu Fujiwara; Nobuyoshi Saito; Toshitsugu Ueda; Keiji Ikeda 出版日期：2020-09-29 |
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