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作者
Yuta Sato,Hirokazu Fujiwara,Nobuyoshi Saito,Toshitsugu Ueda,Keiji Ikeda
标识
DOI:10.7567/ssdm.2020.j-6-02
摘要
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials ,Suppression of Channel Shortening and Reduction of S/D Parasitic Resistance in InGaZnO channel BEOL Transistor by Insertion of thermally stable InAlZnO Contact Layer
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