Vulnerable Trench Power MOSFETs under Heavy Ion Irradiation

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标题	[高分] Vulnerable Trench Power MOSFETs under Heavy Ion Irradiation 重离子辐照下的易损沟槽功率MOSFETs
网址	求助人暂未提供
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	Presented at the 2008 IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference, Tucson, AZ, USA, 14–18 July 2008
求助人	车剑锋在 2024-04-24 14:01:01 发布自北京，悬赏 50 积分
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11个月前，求助关闭

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车剑锋 Lv744 求助人驳回了追求最优解上传的文件

说明
标题错误，且内容是向量方面的内容，与要求不符
11个月前

追求最优解 Lv11 上传了文件

已驳回 20220811143828_42306.pdf (296.8 KB)
11个月前

车剑锋 Lv744 求助人发起了本次求助

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