Study of enhanced photovoltaic behavior in InGaN-based solar cells by using SiNx insertion layer: Influence of dislocations

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标题	Study of enhanced photovoltaic behavior in InGaN-based solar cells by using SiNx insertion layer: Influence of dislocations 使用SiNx插入层增强InGaN基太阳电池光伏行为的研究：位错的影响相关领域材料科学位错异质结光伏系统光电子学图层（电子）太阳能电池光电效应凝聚态物理纳米技术复合材料物理电气工程工程类
网址	https://doi.org/10.7567/jjap.55.030306
DOI	10.7567/jjap.55.030306 doi
其它	期刊：Japanese journal of applied physics 作者：Seunga Lee; Yoshio Honda; Hiroshi Amano; Jongjin Jang; Okhyun Nam 出版日期：2016-02-18
求助人	小白在 2024-06-01 20:29:51 发布自湖南，悬赏 10 积分
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