N - and P -type symmetric scaling behavior of monolayer hydrogenated boron arsenide transistors

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标题	N - and P -type symmetric scaling behavior of monolayer hydrogenated boron arsenide transistors 单层氢化砷化硼晶体管的N型和P型对称标度行为相关领域数学算法材料科学
网址	https://doi.org/10.1103/physrevmaterials.8.014603
DOI	10.1103/physrevmaterials.8.014603 doi
其它	期刊：Physical Review Materials 作者：Qiuhui Li; Tao Zheng; Lin Xu; Shibo Fang; Zongmeng Yang; et al 出版日期：2024-01-26
求助人	liuhuan 在 2025-04-20 14:10:13 发布自美国，悬赏 10 积分
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