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 Study on the 12 in. wafer uniformity of high aspect ratio TSV filling by using rotation cathode 12英寸的研究。利用旋转阴极实现高纵横比TSV填充的晶片均匀性
相关领域
薄脆饼
材料科学
纵横比（航空）
阴极
旋转（数学）
光电子学
复合材料
纳米技术
电气工程
工程类
几何学
数学
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| 其它 |
期刊：Microelectronic Engineering 作者：Chi Zhang; Guoxian Zeng; Pengrong Lin; Hengtong Guo; ShiMeng Xu; et al 出版日期：2024-03-01 |
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