标题 |
Ultra‐Steep‐Slope High‐Gain MoS 2 Transistors with Atomic Threshold‐Switching Gate
具有原子阈值开关栅极的超陡斜率高增益MoS 2晶体管
相关领域
材料科学
光电子学
晶体管
阈下斜率
阈值电压
电压
电气工程
工程类
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DOI | |
其它 |
期刊:Advanced Science 作者:Jun Lin; Xiaozhang Chen; Xiangfeng Duan; Zhihao Yu; Wencheng Niu; et al 出版日期:2022-01-17 |
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