标题 |
New structure transistors for advanced technology node CMOS ICs
用于先进技术节点CMOS IC的新结构晶体管
相关领域
晶体管
CMOS芯片
节点(物理)
材料科学
场效应晶体管
集成电路
MOSFET
电气工程
电子工程
光电子学
纳米技术
工程类
电压
结构工程
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其它 |
期刊:National Science Review 作者:Qingzhu Zhang; Yongkui Zhang; Yan-Na Luo; Huaxiang Yin 出版日期:2024-01-05 |
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