Field-Effect Transistors Based on Few-Layered α-MoTe2

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标题	Field-Effect Transistors Based on Few-Layered α-MoTe2 基于少层α-MoTe2的场效应晶体管相关领域材料科学场效应晶体管纳米技术领域（数学）晶体管光电子学物理数学量子力学电压纯数学
网址	https://doi.org/10.1021/nn501013c
DOI	10.1021/nn501013c doi
其它	期刊：ACS Nano 作者：Nihar Pradhan; Daniel Rhodes; Simin Feng; Yan Xin; Shahriar Memaran; et al 出版日期：2014-06-04
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