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 Irradiation Hardened p-GaN HEMTs Enabling 558 V Single-Event Hardness at 75.7 MeV⋅cm2/mg and 95% Conversion Efficiency at 300 W/500 kHz 辐照硬化p-GaN HEMT在75.7 MeV⋅cm2/mg下实现558 V单事件硬度，在300 W/500 kHz下实现95%转换效率
相关领域
辐照
材料科学
离子
稳健性（进化）
光电子学
辐射硬化
重离子
分析化学（期刊）
物理
电气工程
化学
核物理学
工程类
色谱法
生物化学
量子力学
基因
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Feng Zhou; Can Zou; Tianyang Zhou; Weizong Xu; Fangfang Ren; et al 出版日期：2024-04-09 |
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