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Comparative study of CF4 + X + He (X = C4F8 or C4H2F6) plasmas for high aspect ratio etching of SiO2 with ACL mask
CF4+X+He（X=C4F8或C4H2F6）等离子体用于ACL掩模高纵横比蚀刻SiO2的比较研究
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网址
http://dx.doi.org/10.1002/ppap.202400046
DOI
10.1002/ppap.202400046 doi
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yaya 在 2024-12-19 16:04:42 发布自湖北，悬赏 10 积分
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