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标题
Influence of vacuum annealing on interface properties of SiC (0001) MOS structures
真空退火对SiC（0001）MOS结构界面性质的影响
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网址
https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab2557
DOI
10.7567/1347-4065/ab2557 doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Kōji Itō; Takuma Kobayashi; Tsunenobu Kimoto
出版日期：2019-05-29
求助人
绿波电龙 在 2025-01-24 13:04:58 发布自江苏，悬赏 10 积分
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