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标题
Impact of Electron and Hole Trap Profiles in BE-TOX on Retention Characteristics of 3D NAND Flash Memory
BE-TOX中电子和空穴陷阱分布对3D NAND闪存保持特性的影响
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网址
https://doi.org/10.1109/tnano.2024.3481392
DOI
10.1109/tnano.2024.3481392 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Nanotechnology
作者：Gilsang Yoon; Donghyun Go; Jounghun Park; Donghwi Kim; Jongwoo Kim; et al
出版日期：2024-01-01
求助人
wu 在 2025-01-22 14:39:43 发布自湖北，悬赏 10 积分
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