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标题
Parameters of pulse generators based on 4H : SiC sharp-recovery drift diodes: The influence of electron drift velocity saturation
基于4H：SiC锐恢复漂移二极管的脉冲发生器参数：电子漂移速度饱和的影响
相关领域
漂移速度 二极管 材料科学 饱和（图论） 电子 脉搏（音乐） 电压 饱和速度 饱和电流 光电子学 物理 数学 量子力学 组合数学
网址
https://doi.org/10.1134/s1063784216020134
DOI
10.1134/s1063784216020134 doi
其它 期刊：Technical Physics
作者：P. A. Ivanov; I. V. Grekhov
出版日期：2016-02-01
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5r 在 2025-02-08 14:23:39 发布自湖北，悬赏 10 积分
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